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亿纬锂能申请含稳定SEI膜的含硅负极材料专利, 突破现有技术单一性能优化的局限
发布日期:2026-07-22 06:24    点击次数:175

国家知识产权局信息显示,惠州亿纬锂能股份有限公司申请一项名为“一种含稳定SEI膜的含硅负极材料及其制备方法和电池”的专利,公开号CN122202249A,申请日期为2026年3月。

专利摘要显示,本发明提供一种含稳定SEI膜的含硅负极材料及其制备方法和电池,所述含稳定SEI膜的含硅负极材料包括含硅负极颗粒以及包覆在所述含硅负极颗粒表面的SEI包覆膜;所述SEI包覆膜包括聚合物,所述聚合物采用同时含有异噁唑基和吲哚结构的单体,二者具有共轭结构,能够提供电子通道,同时实现结构稳定、导电优化、高压耐受及抗水防护的多重目标,突破现有技术单一性能优化的局限,尤其适配高电压、高能量密度电池体系。

天眼查资料显示,惠州亿纬锂能股份有限公司,成立于2001年,位于惠州市,是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本204572.1497万人民币。通过天眼查大数据分析,惠州亿纬锂能股份有限公司共对外投资了51家企业,参与招投标项目201次,财产线索方面有商标信息306条,专利信息5001条,此外企业还拥有行政许可440个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

本文源自:市场资讯



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